Thành phần quan trọng SSD
Hai thành phần quan trọng nhất quyết định hiệu suất SSD là flash NAND và vi mạch điều khiển hay còn gọi controller.
NAND SLC, MLC hay TLC
Có ba công nghệ flash NAND hiện đang sử dụng phổ biến trong SSD là SLC (single-level cell), MLC (multi-level cell) và TLC (triple-level cell). Sự khác nhau giữa các công nghệ này là mật độ bit dữ liệu chứa trong chip nhớ, độ trễ và độ bền dựa theo chu kỳ ghi xóa (P/E cycle). Và điều này ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu năng tổng thể của SSD.
NAND SLC chỉ chứa 1 bit dữ liệu (0 hoặc 1) nhưng có độ trễ thấp nhất và độ bền đạt đến 100.000 chu kỳ ghi xóa. MLC chứa 2 bit dữ liệu và chu kỳ ghi xóa vào khoảng 10.000 lần. Trong khi đó, NAND TLC (triple level cell) chứa đến 3 bit dữ liệu nhưng vấn đề lớn nhất của công nghệ chip nhớ này là độ tin cậy thấp, chỉ 5.000 chu kỳ P/E và độ trễ cao hơn nhiều so với hai loại trên.
Về cơ bản, SSD sử dụng chip NAND TLC có tốc độ đọc lẫn ghi thấp hơn chip MLC, mặc dù mỗi cell của TLC chứa đến 3 bit dữ liệu. Ngược lại SSD dùng NAND SLC có hiệu năng và độ bền cao nhất đồng thời chi phí sản xuất cũng cũng đắt hơn nhiều, nên chỉ ứng dụng trong các hệ thống đòi hỏi độ bền và khả năng đáp ứng cùng lúc số lượt truy xuất dữ liệu lớn.