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❀原创教程，转载本页必须注明链接和作者

主要资料来源： Buildzoid (Actually Hardware Over Clocking)；下面正式开始（っ╹◡╹)ﾉ

超频常识

  • 先装好系统和驱动再超频，因为内存调试中会制造相当数量的死机
  • 极限超频是通过牺牲内存芯片寿命做到的
  • CPU的内存控制器MC越好，支持的内存频率就越高，主时序就越低

主板-软件

BIOS版本： BIOS越新越稳，超频性能越好，中高端主板更新BIOS还可能会自动优化子时序，虽然...厂商有时会发布Beta版本，这种情况下如果主板发行有一定年头的话可以跳过这个版本

  • 主板厂商会发布要求更新到特定版本BIOS后才能升级的BIOS，下载前需注意
  • 主板厂商会阻止旧BIOS上保存的超频预设应用到新BIOS，记得用BIOS自带的截图功能保存，而不是把预设保存到文件

修订/Rev号： 同型号主板修订号变化（大于1.0）意味着其中内存拓补可能改了，造成完全不同的内存超频空间。个别主板还分评测/零售版


BIOS/主板常规功能

  • 内存电压
  • 自检报错灯
  • 内存控制器电压
  • 主-副BIOS自动切换
  • BIOS设置导出到FAT32盘
  • 内存时序（主）和主板时序（子）

BIOS/主板高端功能

  • 钽电容
  • DR-MOS管
  • BIOS设置导出到exFAT或NTFS盘
  • 内存初始化（Training）专用电压
  • 风扇+铜管VRM散热系统（只剩ITX这种塞不下电感的地方还能看到）
  • 二位数PostCode/自检报错LED（可自购，成本很低但被厂商强征高端）
  • 板载开关机按钮，清BIOS按钮（测试平台上非常方便...虽然开关在哪国都是两块钱一个）

内存超频专精(?)功能

  • 自动内存超频功能
  • 1DPC（双槽）拓补（见下）
  • 四位数自检报错LED（可自购）
  • b550芯片组（大幅提高了DDR4内存的BCLK超频空间）

过于高端，现已绝迹

  • 主-副BIOS的手动切换开关
  • 方便测电表检测的插针放置口
  • 四位数PostCode/自检报错LED（可自购，成本很低）
  • BIOS内置的内存/CPU压力测试（省去制作MemTest启动盘的功夫，防止CPU烤机把系统盘弄坏之类的）

读写预习训练（Training）

    可以不严格的称为自检，不叫"初始化"是因为内存的Precharge操作就叫初始化，是清空DRAM中数据用的。大致分为两步：

  • 串行存在检测SPD： JEDEC标准要求在内存模块EEP-ROM上读取时序，制造商，串行号（所在槽数），内存芯片拓补结构，及其他信息

  • 测试： 主板对内存进行CMD/CTL/ADDR时序测试，Vref调试，字节启用检查，寻址检查，数据校验，walking 1s，walking 0s等步骤。因此保存内存时序/频率设置后，要在进系统前重启（开-关-开）一会儿才能进系统的现象；也有了内存初始化专用电压的设置

    • 内存容量越大，Training时间越长，DDR5初期还有要等400秒training的主板
    • fastboot模式下跳过，所以为系统稳定，建议保持快速启动关闭

存BIOS里的设置不见了？

  1. 主板自动因为过不了自检而切换到了备用BIOS，而主BIOS芯片的设置数据不在其上
  2. 主板自动加载了上次可开机的BIOS设置，进保存页加载之前储存的BIOS设置即可

    解： 准备FAT32文件系统的U盘，把更改的BIOS设置存到其中，设置数据就怎么死机都不受影响了~

主板-内存拓补

每槽1通道 （1 DIMM per channel / 1DPC）

  • CPU-->A1, CPU-->B1
  • 双槽配置，HDV主板，ITX主板，内存超频专用板上常见
  • 成本比菊花链和T拓补要低
  • 线路最短，电磁干扰最小，内存性能远超菊花链

菊花链/飞线 （Daisy chain/Fly-by）

  • CPU-->A1-->A2，CPU-->B1-->B2
  • 多数主板，以及部分高端板上常见
  • 内存插A2+B2的内存性能仅次于1DPC
  • 四槽插满时内存性能会暴跌，因为走线不等长
  • 四槽插满+内存容量翻倍后，内存性能会再次暴跌
    • CPU-->A2比CPU-->A1长，CPU-->B2比CPU-->B1长

T拓补/平行 （T-topology/parallel）

  • CPU-->X1，X2；X1-->A1，A2；X2-->B1，B2
  • 理论上插A2+B2，A1+B2，A1+B1，A2+B1没有区别
  • 成本高但解决了四槽插满后A1-A2；B1-B2布线长度不一的问题
  • 插入A2，B2槽后，由于走线长，所以比菊花链插A2，B2要慢很多
  • 因为有分叉点，所以走线的复杂度高，离CPU最近槽的走线长度超过了菊花链最远槽的长度
  • 四槽插满后，由于A1和A2走线等长；B1和B2走线等长，所以比菊花链4槽插满的内存速度要快很多
  • 四槽插满+内存容量翻倍后，内存性能几乎不受影响

低配T拓补

  • CPU-->X1；X1-->A1，A2
  • 用在两槽主板上的设计方案？总体数量很少，可能在很低端的主板上可见。理论超频性能仍然比四槽T拓补好
  • 不如1DPC成本低，所以可能是为了省设计成本

主板走线： 商业机密，所以同一种拓补只有某个厂商的版本最好，所以得看主板PCB层数再看拓补 内存走线： 一般称为PCB布局，往下翻可见


超频空间排名（理想情况）

高：1DPC＞菊花链两槽插对＞1DPC单条16G插满＝T拓补两槽插对＞中：菊花链单条16G两槽插对＝菊花链两槽插错＝T拓补4槽插对＞T拓补单条16G两槽插对＞低：T拓补两槽插错＞其它

判断主板上的拓补： 没有规定要求主板厂商将拓补列在商品页，因此有两种方法：砂纸磨掉PCB看，以及打入厂商内部问


主板-厂商

基本排名（资料欠缺，不准确）

微星b550高端-双内存槽（不支持ECC）＞所有b550 ITX双槽＞微星b550高端＞EVGA x570高端-双内存槽＞所有x570 ITX双槽＞华硕x570高端（偷USB口/溢价起飞）＞EVGA x570高端（最强AM4板载音频）＞技嘉x570高端（溢价起飞/BIOS高端功能偏少）＞微星b550中端＞其它b550中端＞微星x570中端＞其它x570中端

工作站主板系列

  • 没有原生不支持ECC内存，以及更严重的"假装支持ECC内存（BIOS空开关）"的问题
  • 一张主板自带多口雷电4，多网口拓展；适合大量媒体素材跨设备快速传输

ITX/DTX主板的坑

  • 由于板面小，所以常常需要10层PCB才有地方走线，大概相当于6层PCB的ATX主板
  • 由于板面小，所以有的主板用了Small-Outline DIMM（SODIMM），这种规格的内存缩减了很多VSS（电源/源极）针脚，供电走线要和其它数据针脚共享，造成电压损失，信号差"一点"，内存速度/延迟要差"一点"

大小内存的运行逻辑

  • 大内存中，和小内存一样大的部分与小内存组成双通道，剩下的当单通道用
  • DDR5标准的内存要求单条自成双通道，所以仅DDR4及其前者适用

不完整AM4主板板载拓补列表

    源：AM4主板天梯, AM4主板天梯-镜像1（缺少一些新出的主板但够用了）


微星 Msi

菊花链： x570 Godlike，x570 Creation，MAG x570 Tomahawk，MEG x570 Ace，MEG x570 Unify，MPG x570 Gaming Edge，MPG x570 Gaming Plus，MPG x570 Gaming Pro Carbon，x570 A-Pro，x470 Gaming M7，x470 Gaming Plus，x470 Gaming Pro，x470 Gaming Pro Max，x470 Gaming Pro Carbon，x370 Gaming Plus，x370 Gaming Pro，x370 Gaming Pro Carbon，x370 Krait Gaming，x370 SLI Plus，x370 Xpower Gaming Titanium，b550-A Pro，MAG b550 Tomahawk，MAG b550 Torpedo，MPG b550 Gaming Carbon，MPG b550 Gaming Edge，MPG b550 Gaming Plus，MPG b550 Gaming，b550M Pro DASH，b550M Pro VDH，MAG B550M Bazooka，MAG b550M Mortar
1DPC： x370M-HDV，b550M Pro， b550M Vector WiFi，MPG b550I Gaming Edge (Max) ，b450M Gaming Plus，b450M Pro M2 (Max/V1/V2)，b450 Gaming Plus，b350M Gaming Pro (VD Plus / VH Plus)，b350I Pro，a320M Gaming Pro，a320M-A Pro，a320M Grenade，a320M Pro-(E/M2_V1/M2_V2/VD_S_V1/VD_S_V2/VD_Plus/VH_Plus/VHL)


华擎 AsRock

菊花链： x570 Aqua，x570 Creator，Phantom Gaming X，x570 Taichi (零售版)
T拓补： x570 Extreme 4，x570 Phantom Gaming 4，x570 Pro 4，x570 Taichi (评测版)，x570M Pro 4，x470 Taichi，x370 Taichi
1DPC： x570 Phantom Gaming ITX / TB3，x470 Fatal1ty Gaming ITX，x370 Fatal1ty Gaming ITX，x270M-HDV，b550M-HDV，b550M ITX，b550 Phantom Gaming ITX，b450M-HDV Rev4.0，b450M-Dragon，b450 Fatal1ty Gaming ITX，ab350M (HDV Rev3/Rev43)，b350 Fatal1ty Gaming ITX，A520M (HDV/HDVP/HDVP-DASH)，a520M Pro 4，a320M Pro (VHL/ITX)，a320I-K，a320TM-ITX，a320M-HDV (R2.0/R3.0)，a320M-DVS (R3.0/R4.0)，a320M-DGS，a320M
1D1S（单槽）： x370 Pro BTC+


华硕 ASUS

菊花链： Prime x570-P，Prime x570 Pro，Pro WS x570 Ace，Crosshair VIII Dark Hero，Crosshair VIII Formula，ROG Strix x570-E，ROG Strix x570-F，TUF x570 Plus，Prime x470 Pro，ROC Crosshair VII Hero，b550-E Gaming，b550-F Gaming，b550-XE Gaming
T拓补： ROG Strix x470-F Gaming，TUF x470-Plus Gaming，Prime x370 Pro，ROG Crosshair VI Hero，x370-F Gaming，b350-F Gaming，TUF b350M-Plus Gaming
1DPC： ROG Crosshair VIII Impact，x570-I Gaming，x470-I Gaming，ROG Strix b550-I Gaming，Prime b450M-K II，b450-I Gaming，Prime b350M-K (-E)，ROG Strix b350-I Gaming，Prime a520M-A/-E/-K/-C/-CSM，Pro A320M-(C R2.0/E/F/K/R WiFi)


技嘉 Gigabyte

菊花链： x570 Aorus Xtreme，x570 Aorus Elite，x570 Aorus Master，x570 Aorus Pro，x570 Aorus Ultra，x570 Gaming X，x570 UD，b550 Aorus Elite V1/V2，b550 Aorus Master，b550 Aorus Pro V1/V2，b550 Gaming X V1/V2，b550 Vision D Rev1001/Rev1002，b550M Aorus Elite，b550M Aorus Pro (P)，b550M-DS3H
T拓补： x470 Aorus Gaming 7 WiFi，x470 Aorus Gaming 5，x470 Aorus Ultra Gaming，AX370 Gaming 5，AX370 Gaming K5，AX370 Gaming K7，AX370 Gaming，AX370 Gaming 3，AX370 Gaming K3，AX370M-DS3H，AX370M Gaming 3，b450 Aorus Elite，b450 Aorus Pro，b450 Aorus Gaming X，b450 Aorus M，b450M DS3H (V1/V2)，ab350 Gaming 3，ab350M-D3H (D3V)，ab350M DASH，ab350M DS3H (V1/V2)，ab350M Gaming 3，ab350M HD3
1DPC： x570I Aorus Pro，b550M Gaming，b550M H，b550M S2H，b550-I Aorus Pro，b450M Gaming，b450M S2H (V1/V2) ，b450I Aorus Pro，ab350N Gaming，a520M H (S2H)，a320M-H (D2P/DS2/DS3/HD2/HD3/S2H_V1/S2H_V2)，a320M-DS2，a320M-D2P，a320MA-M.2


映泰 Biostar

1DPC： Racing x470GTN Ver5.x，Racing x370GTN Ver5.x，B550MH Ver6.x，Racing b500GTQ Ver5.x，b450MHC Ver6.x，b450GT Ver5.x，b450MH Ver6.x，tb350-BTC Ver6.x，Hi-Fi B350S1 Ver6.x，Racing B350ET2，Racing B350GT3，b45M2，b350GTN Ver5.x，a520MH Ver 6.0-6.1，a320MD Pro Ver6.x，A320MH Ver6.x，A320MH Pro Ver6.x，TA320-BTC Ver6.x


七彩虹 Colorful

菊花链： (!不确定!：CVN X570 GAMING PRO V14，CVN X570M GAMING PRO V14，战旗C.X370AK X5 V14)
1DPC： Battle-Ax b550M-HD Pro V14，断剑 A320M-K Pro (Ver6.x)，断剑 A320M-K Pro (V14/YV14)，A320M-M.2 Pro V15，Battle Axe C.A320M-D Plus YV14，(!不确定!：BATTLE-AX B550M-T PRO V14，断剑 AB350M Pro V14)


铭瑄 Maxsun

菊花链： (!不确定!：MS-iCraft B550M，MS-B350FX Gaming PRO)
1DPC： (!不确定!：MS-终结者 B550M，MS-挑战者 A520M (K)，MS-挑战者 B350M，MS-挑战者 A320M.2-VH，MS-A320D4 Turbo)


ECS

1DPC： Durathon 2 a320AM4-M3 (V1.0A)，(!不确定!：B450AM4-RX，A520AM4-M9，A300AM4-TI5，A520AM4-M3_M3D，A320AM4-M7，B450AM4-M，B350AM4-M2A，A320AM4-M3D，A320AM4-M3，B350AM4-M2，B350AM4-M)


EVGA

菊花链： x570 FTW(?)
1DPC： x570 DARK


泰安 TYAN： 仅B650，ThreadRipper主板

超微 SuperMicro： 仅ThreadRipper主板

联想 Lenovo： 仅ThreadRipper主板

华南 HuananZhi： 无AMD平台主板

稳定性

来源：Buildzoid（多个视频）

DRAM width/内存芯片通道位宽

    一次能存入芯片的数据量. 为节省成本，厂商可以采用x16的宽通道芯片来替代x8位宽的芯片，节省一半的走线-焊接成本，但超过x8位宽的内存留给CPU每个计算周期的"仓库"数量减半，导致处理性能低于同频率-时序-延迟内存，以及造成"内存占用虚高"的问题


主板PCB层数

    主板层数变多有利于内存布线缩短距离和绕开障碍，越多越好。但由于主板厂商设计功底不同，所以同一拓补下的超频空间也会有巨大差距


CPU散热器螺丝孔位

    主板CPU散热器螺丝孔的位置会影响主板布线的长度。几个螺丝孔虽然不会影响布线，然而为了防止机箱内的电磁波被散热器吸收，从螺丝孔串扰到内存-CPU信道，CPU与内存通信的电路就要躲的远远的了，像AM3，AM4插槽拉长高度，躲开避开该区域的设计比LGA-2011/V3这种方形孔位布局更好


PCB下层vs上层走线

    由于下层PCB更加隔绝空气，对于数据信号来说绝缘更好；而由于CPU至少要沿路走两批线路到内存槽中，因此两批线路之间也要做好相互的隔离来避免串扰，所以理论上主板PCB层数应该至少达到8层，比内存通道还要依赖传输速度的显存则是GPU各走一条线通到内存芯片上的


ECC校验内存

    Elliptic Curve Cryptography就是椭圆曲线校验，和软件算哈希值意义所同，可以在将各种内存错误问题从蓝屏死机缩小到报错(?)，代价是内存PCB布局不同，超频难度更大而且更贵


显卡热风

    在烤机/游戏中因显卡热风升温（或者缺风道的机箱内无法散热），同电压下的内存无法维持当前频率，导致内存错误，page损坏，延迟超出BIOS时序设定，软件拿到错误数据导致系统死机，但大多数人在超频前没考虑的问题。只要用电吹风模拟加热，然后做Memtest64，TM5@anta777之类的内存压力测试就可以复现了，考虑到新显卡的发热量更大，所以可能未来用热风枪加热比较理性

  • 另外，显卡热风还会烧死直吹着的m.2固态硬盘

ITX主板

    超频支持最好的主板是ITX主板和双槽（1DPC拓补）主板，但ITX一定程度上限制了CPU性能；超大杯ATX主板太贵，超频专精主板会因为优化地太过分导致兼容性问题（比如华硕Maximums 11 Gene的BIOS专门为A0布局/raw card的内存优化，导致了A2布局/raw card内存不兼容的问题）


CPU SoC电压（日常使用稳定性）： 见最后页的"锐龙1000 SoC"，"LGA1151 SoC"

内存-硬件

内存阶数Rank

  • DIMM=内存条，DRAM=内存芯片，Rank=一组/一阶/一簇DRAM，Rank数量越多越好

    • 2R常见，1R低端，4R高端但少见 Memory Rank Numbers

  • 如上图，从内存的参数列表里确定是一阶1R，二阶2R还是四阶4R

    • 一般情况下服务器内存条根据用途使用1/2/4R，PC两条套装用1R，中高端笔记本和PC用2R，工作站和HPC服务器用2R或4R
    • Rank数量越多越好，单条1Rx16GB DIMM的性能只能达到2Rx8GB DIMM的80~90%

    DRAM需要执行刷新操作refresh来维持其中0和1，而刷新过程中同Rank的读写等操作会延误。Rank数量增加后，本来被延误的操作可以立即切换到另一Rank上交替执行(memory interleaving)，从而减少了延迟


内存PCB布局 - JEDEC Raw Card（缺少笔记本内存SODIMM的资料）

A0 - DDR4早期，设计速度只有2133MT/S，超频空间低

A0_Topology.jpeg

A1 - DDR4中期，最往中间的BGA可选焊ECC芯片，在服务器/EPYC平台内存上可见，超频性能未知

A1_Topology.jpeg

A2 - DDR4晚期，成本低频率高，芯片往左右两边靠拢，所有芯片放正面使得只需一次回流焊就做好

A2_Topology.jpeg

B0，B1，B2，B3布局 - 双面大容量内存的翻版，基本上单条32GB或更高的内存上可见，在PC内存上见不到所以叫错也没关系…大概


内存PCB层数

来源：Buildzoid，微星论坛EN

    和主板一样有电路板层数加成。OEM内存条8层左右，中-高端10层左右，6层能跑XMP就不错了所以算电子垃圾。加厚有抗干扰能力更强，降低走线距离(?)，提高超频空间的buff。由于信息不透明所以无法在购买阶段确定层数，所以超频情况下推荐下游大厂内存

Mem_PCB_Layers.jpeg


内存电容

    高端内存上能看见更多电容被焊在内存PCB正反面上，这样做可以增强抗干扰能力，直接提高超频空间。由于部件被焊到PCB背面，价格更高。所以衍生了"低端内存买芯片，高端内存买电容"的调侃


内存散热器

来源：r/Overclocking

    一般内存上能看见金属散热片，但理论价格最贵的导热材料是内存芯片和散热器之间的导热介质。由于被挡住看不见，所以在中低端内存上的大小厂商会使用双面胶。这种情况下要去掉金属散热片才能提高内存超频性能，或最好自行购买导热介质。

RipjawsTape.jpg

G.Skill Ripjaws V，以及Trident Z上使用双面胶的照片，仅供参考


芯上末端电阻 / 芯末/末端电阻 / On-die Termination / ODT

    重要的内存性能保证措施。DDR1电阻直接位于主板线路上，称为线上电阻Line Termination，后来DDR2因为成本，稳定性和空间优势转移到了内存芯片上

    阻抗Ω = 电压V÷电流A。DDR4的电阻阻抗一般是34-50欧姆，也有更低/更高的例子，超频设置为超频电压的5/10-5.8/10即可，由于比较麻烦就记作一半多一点点

PS： 根据下图，这好像是一整套电路叫ODT，而且电阻是resistor，不知道来源那边咋翻译的

ODT1.jpeg

ODT2.jpeg

内存-软件

来源：Buildzoid

修订/Rev编码

    应该是生产线编号，而且和芯片体质直接相关，和主板的修订号的概念有异。需要搭配芯片容量大小区分体质。目前，可能源自Buildzoid提出并成为不成文规定的叫法是：

三星Rev.E芯片-->三星 ?GB E-die-->三星E-die；
镁光Rev.D芯片-->镁光 ?GB Rev.D-->镁光Rev.D；
海力士JJR芯片-->海力士JJR"

时序松紧-芯片颗粒判断

    一般在购买的时候直接看内存频率÷tCL就能大致判断出内存档次。比如3200MT/S CL14的时序就是3200÷14≈228.6，这个程度只有三星B-die开XMP，或一般内存条加压超频后可以跑的出来。而计算更完整的内存性能就要用到跑分软件了

    算一下3200MT/S CL16，3600MT/S CL18，4000MT/S CL20的数据就能知道它们的性能大体上一样。所以超频情况下尤其不会考虑买3200MT/S C16这个档次（或更差）的芯片；即使是10层PCB，正反面都加了电容，有散热设计的高端条也不行


标速（binning）

    bin=物料分类盒。标速即出厂测试体质后设置频率和时序的过程。

  • OEM内存条考虑出厂效率，超出一般电脑的工作温度(车用/卫星/数据中心等环境)，所以有优质颗粒被按需标成低速的情况
    • 还有故意把高端颗粒往低了卖，然后突然换回中低端颗粒收割一波的营销战略
    • 排除以上一切可能后就是懒，比如Buildszoid提到的JEDECCTCCD532G5600HC46DC01, 明明用着高端海力士A-die（DDR5）却只标了JEDEC时序的迷之操作
  • PC内存厂商拿到芯片后会自己测试电压范围和时序，所以能保熟且尤其避免了同样是三星B-die也分特挑/合格/垃圾档次的问题
  • 如果体质实在太差，其去向就是SSD里的缓存了

XMP

根据JEDEC的限制，下游厂的Xtreme Memory Profile只能调整主时序(CA,RCD,RP,RAS)参数，主板厂商才能调整子时序。由于BIOS决定了同XMP的子时序兼容性，所以出现过较便宜或太高端的主板没有优化好，或优化过头BIOS，部分内存过不了自检的问题。所以主板厂商会在自家主板的网页上发布测试过兼容内存条的型号，属于买内存前必查条目之一

DRAM厂商-上游

来源：Reddit r/Overclocking。以下栏目的"状态:XMP"是为了节约阅读成本写的，描述的就是商品页列出的速度，用作购买参考

三星 Samsung 单面4GB

4GB Rev.D/D-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3733 16 16 16 38 超频，指令频率2T

存在于海盗船v4.23内存，部分G.Skill Trident Z 3600MT/S，2012年前G.Skill Ripjaws >3000MT/S的内存，仅16GB条对锐龙和7代kaby lake兼容性好。整体不如E-die，但由于大部分都是OEM条，所以在中低端的性价比好

4GB Rev.E/E-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2933 14~16 14~18 14~18 20~40 XMP
3066/3200 15~17 16~20 16~20 20~40 XMP
3333 15~17 18~20 18~20 20~40 XMP
3466 16~18 18~20 18~20 20~40 XMP
3600 CL12 19/8 19 - 超频2V

英特尔平台支持DDR4-4000+，tCL可以低的接近B-die，常见于多数4GB DDR4-3600, 3600+的内存，海盗船v4.24，英睿达Ballistix 4GB 3200MT/S

4GB Rev.T/T-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2666 19 26 26 - XMP
3866 18 20 20 - Skylake超频1.45V
4133 16 26 26 - 超频 1.5V

官网未列出，可能是低配版的其它芯片，已知1.5V电压下稳定性骤降

4GB Rev.F/F-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000~3200 16 18 18 - XMP

在G.Skill Aegis 序列号尾10F，Transcend以及Goodram的笔记本内存中有


三星 Samsung 单面8GB

8GB Rev.B/B-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2933 13~15 12~16 12~16 20~40 XMP
3066 13~15 12~16 12~16 20~40 XMP
3200/3333/3466 14~16 13~16 13~16 20~40 XMP
3600 15~18 14~18 14~18 20~40 XMP
3600 14 14 14 14 G.Skill特挑XMP
3600~4000 14 14 14 - 轻度超频
4000+ 12 11 11 - 重度超频1.8~2V
3733 18 - - -
4000+ 19 - - -

目前最顶级的DDR4内存芯片，最佳温度在15~20°C，加风扇能有效提高超频空间。在所有商品页写3200 14-14-14的内存上可见；但特殊情况下会有冒出3200 C16的内存流出，如金士顿HyperX的笔记本内存

8GB Rev.C/C-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 16 18 18 XMP
3466 16 18 18 36 超频，1.4V风冷
3600 18 22 22 40 超频， Buildzoid

根据批次不同支持正常1.32V的电压，1.4V会加速老化。在海盗船v4.32 3000CL15, 3200CL16, 3600CL18，部分G.Skill和三星OEM内存条上可见。因电压缩放差所以超频空间小，在RAMAXEL NT8GA64D88BX3F，NT8GA64D88BX3F内存中可见

8GB Rev.D/D-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 16 18 18 - XMP
3600 19 20 20 - XMP
3600 14 - - - 超频 1.5V

存在于三星OEM条，海盗船v4.33 复仇者LPX，G.Skill FlareX，G.Skill Ripjaws V内存中

8GB Rev.E/E-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2400 14 - - - -

存在于三星OEM条，海盗船v4.34 复仇者LPX 2×8GB 内存条中，用户评价是不如C-die


三星 Samsung 单面16GB

16GB M-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 16 18 18 36 XMP
3200 16 18 18 36 XMP
3200 16 15 8 28 超频 1.35V
3600 18 - - - XMP

存在于三星和ADATA的OEM条，Patriot序列尾号11MJ3的2×32GB条，GeIL Evo Potenza中，测试发现低于1.35V的性能会下降，比E-die的时序更好收紧。CL最低只有16

16GB A-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3600 24 24 24 24 XMP
3600 18 21/18 21 41 超频（主时序）
3600 18 21/16 19 41 超频（主+子时序）

存在于三星OEM条中，2x32GB桌面内存条中


镁光 Micron 单面4GB

4GB Rev.A/A-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 14 16/8 15 28 超频

D9RB_和D9RG_。3000MT/S以下的速度无法在1.35V运行，但3000MT/S 1.5V，或提高频率就没事。频率和电压得拉高其中一个。 在镁光OEM，低端英瑞达1Rx8，2Rx8，海盗船v3.20，金士顿4-8GB m16，办公整机可见，超频潜力低，但x99平台支持得好 Thaiphoon Burner报告这型内存有错，但可以从物料号MT40A512M8**认出

4GB Rev.B/B-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2933 15 17 17 - 超频
3466 16 19~20 19 24 特挑超频
3200 22 - - - D9VCB XMP

D9TG_和D9VCB。电压超过1.4V就可能过不了自检，和8GB Rev.B差距很大 在镁光OEM，低端英瑞达1Rx4，1Rx8，2Rx8；海盗船v3.21，金士顿2666MT/S 4GB m08和8GB m16可见，超频潜力比镁光A-die好，锐龙和x99平台都支持得好

4GB Rev.E/E-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2666 18 - - - XMP

D9WQL（物料号MT40A512M8WE-075E:E），没什么信息

4GB Rev.F/F-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2400 16 - - - XMP
2666 19 - - - XMP
3733 12 22/8 15 24 超频1T 1.7V

D9WTD（物料号MT40A512M8SA-075:F），在海盗船v3.22的2400CL16内存，一些英瑞达OEM条可见，在AMD平台上属于高性价比超频条，电压信息需进一步调查

4GB Rev.G/G-die CL tRCD R tRP tRAS 状态
3200 22 - - - XMP

D9XJJ（物料号MT40A512M8SA-062E:G），在英瑞达FS和FRA系列OEM 2R条上常见


镁光 Micron 单面8GB

8GB Rev.A/A-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2400 16 - - - XMP
2666 18 - - - XMP
2733 16 16/14 14 14 超频1.2V

D9SR_，只在1151和AM4之前的平台上兼容性好，基本上是x99用的。在镁光OEM，英瑞达OEM，英瑞达Ballistix Sport，旧版金士顿HyperX Fury条上可见

8GB Rev.B/B-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 15 19/8 13 21 超频1T 1.35V

D9TBH, D9TNW, D9VG*, D9VF*（可能还有）。仅在AMD平台支持好（LGA1151不能将tRCD R和W分开设），高频率下不接受高电压，有发热问题；在镁光OEM；海盗船v3.31，中端镁光8~16GB内存条上可见

8GB Rev.D/D-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2400 16 - - - 海盗船 XMP 1.35V
2666 16 - - - XMP
2750 11 14/8 - - 超频1.48V
3000 15 17 17 35 海盗船 XMP 1.35V
3200 16 18 36 66 超频1.375V
3600 16 19/18 35 55 超频1T 1.37V

在金士顿，英瑞达Ballistix，海盗船复仇者LPX上常见，出现于RAMAXEL RMUA5110MD78HAF-2666上。3466MT/S大概需要1.37~1.375V。本文作者用的就是这个，在XMP预设1.35V 3400MT/S 15-17-17-35完美通过Aida64跑分和压力测试，但因为买到了内存超频支持太差的主板，所以因过不了自检而调回了3200MT/S

8GB Rev.E/E-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 15 16 16 - XMP
3200~3600 16 18 18 - XMP
3400 13 18 18 36 超频 英特尔2T 1.5V
3466 14 17 17 36 超频1.45V
3600 14 20 15 36 超频1.45V
5726 24 31 31 63 世界纪录，液氮

D9VPP，C9BHS，C9BJZ/C9BLD 3000CL15 3200CL16，C9BKV >3600MT/S 放宽tRCD后超频空间放大，支持电压范围高且适合超频。可在一些英瑞达Ballistix 8GB 3000CL15，Ballistix 3600 ELITE 3200~3466条，海盗船v3.34，镁光OEM条上可见


镁光 Micron 单面16GB

16GB Rev.B CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 15 - - - XMP
4000 19 19 19 43 XMP
4800 18 23 23 48 超频
5100 19 26 26 48 XMP

D9XPF，C9BLH，C9BLG 3000CL15 3000CL16。海盗船32GB复仇者LPX v3.40；英瑞达Ballistix 32GB 3000；砍容量版出现在英瑞达Ballistix Max 5100，被记做8GB Rev.N


海力士 SK Hynix 单面4GB

4GB MFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 16 15~16 15~16 - 超频

超频加风冷可达1.5~.7V，常见于海盗船v5.29内存，x99平台支持最好，超频空间小

4GB AFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3600 12 17 17 - 超频1.65V
4000 13 - - - 理论，1DPC超频

超频可用1.65V，常见于海盗船v5.20内存，x99平台支持最好，超频

4GB BJR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2666 19 - - - XMP
3066 16 15 15 34 Zen+超频
3466 16 18 18 38 超频
3600 18 19 19 40 Zen2超频
4266 22 24 24 46 单通道单条极限

超频可用1.55V，已知存在于一些金士顿HyperX内存，x99平台支持最好，超频


海力士 SK Hynix 单面8GB

8GB MFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 15 15 15 - XMP
3000 15 17 17 35 海盗船XMP 1.35V
3200 16 18 18 - XMP
3200 16 17/10 17 35 超频 1.4V
3466 16~17 - - 36 超频 1.37V

存在于海盗船v5.39，G.Skill Ripjaws V，AMD平台要求最新BIOS，理论超频空间比前者大。本文作者自己测试发现3200MT/S封顶，不可能再提高频率了

8GB AFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 16 18 18 - XMP

可能存在于海盗船v5.30，AMD平台要求最新BIOS，理论超频空间比前者大

8GB BFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2666 16 18 18 - XMP 1.2V

可能存在于海盗船v5.31，海力士官方网站没有列出

8GB CJR/1JR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3600 18~19 19 19 - XMP
3600 16 19 19 - 高成功率超频
4000 18 22 22 - XMP

超过1.45V似乎会加速老化，存在于海盗船v5.32，G.Skill Sniper，Patriot，2018年下旬海盗船复仇者LPX 3000 CL15，曜越(Thermaltake)ToughRAM，技嘉Aorus等多个品牌旗下。偏高端，但比三星B-die便宜 1JR是砍到4GB版本的CJR芯片，超频性能不变但单条内存大小降低为4GB，常见于2×8GB

8GB JJR/JFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3600 18 19 19 40 1DPC超频 1.2V

达到1.45V后稳定性变化不大，存在于外星人整机，海盗船v5.38，G.Skills 042...882xJ，海力士OEM条；在Intel平台超频表现更差，官方网站没有列出

8GB DJR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3600 16 19 19 39 XMP
3800 16 19 19 36 XMP 1.35V
4000 19 23 23 42 XMP 1.45V
4600 19 26 26 45 XMP 1.5V
4800 18 25 25 28 z590超频
5600 19 27 27 27 z590超频
5850 17 27 27 28 lga1200 液氮-150°C

似乎是高配版CJR，据说和三星B-die一个档次，已知在3800 CL16~4600 CL19的参数区间有货，包括海盗船曜越(Thermaltake)ToughRAM


海力士 SK Hynix 单面16GB

16GB MJR/MFR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3066 14 16 16 30 Zen1 b450 超频
3466 18 20 20 32 x299四槽插满超1.25V
3600 18 20 20 32 x299超频 1.25V
3200 14 17 17 32 Zen1 b450 超频
3200 16 22 22 - G.Skill XMP 1.45V
4000 18 22 22 - G.Skill XMP 1.4V

电压支持是个谜，2020年下游厂商没有给超过1.35V，但又有了1.45V的XMP版本。存在于苹果笔记本，Patriot Viper黑化，常见于G.Skill 32GB非DC，尾号S820M的系列，官方网站没有列出

16GB AJR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 16 18 18 - G.Skill XMP
3600 18 22 22 - G.Skill XMP

常见于海力士OEM条，曜越(Thermaltake)ToughRAM，Patriot 32GB Viper Steel代码含0BAJ， G.Skill 三叉戟RGB，G.Skill Ripjaws笔记本，G.Skill Aegis的内存

16GB CJR CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200

常见于整机，出现于海盗船32GB 3600MT/S的内存，以及海力士的新品广告中

?GB JHICC CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3066 16 18 18 - 超频 1.35V

出现于中国的G.Skill经济条，以及Geil的内存上。Thaiphoon Burner误报为三星A-die


南亚 Nanya 单面4GB

4GB Rev.B/B-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2666 15 15 15 37 XMP
3066 - - - - 体质极限频率

NT5AD512M8B1/2，型号太老已被淘汰？从俄语写的技术文档上看可能是买了镁光技术后的成品

4GB Rev.D/D-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3000 16 - - - XMP
3066 - - - - 体质极限频率

NT5AD512M8D3/4， 淘汰了前者。能在Patriot Viper 3000C16, 3200C16代码0EDC的内存中见到，可能在海盗船v8.23的内存中见到


南亚 Nanya 单面8GB

8GB Rev.A/A-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2400 17 - - - YYWW XMP
3200 16 18 18 - XMP
3200 16 18 18 40 超频 1.35V
3800 16 17 13 35 超频
3600 18 19 19 39 海盗船 XMP

NT5AD1024M8A3/4。可能在海盗船v8.31，G.Skill，光威，Asgard，YYWW，TeamGroup的内存中见到，很像镁光E-die，电压信息未知

8GB Rev.B/B-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2666 - - - - 出厂
4000 18 19/8 15 21 超频 1.35V

NT8GA64D88BX3F。来源 Buffalo DDR4 8GB Single Rank NT5AD1024M8B3/4。可能在海盗船v8.31能见到

8GB Rev.C/C-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 16 17 18 - 超频或XMP
3200 16 18 18 - G.Skill XMP

NT5AD1024M8C3/4。能在YYWW 2x8GB，G.Skill Ripjaws V编号042，尾号8850C的条中见到。


力晶 PowerChip （PSC）

4GB Rev.A/A-die CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
2400 17 17 17 39 XMP 1.2V

来源：渐缜/电脑吧评测室。产量稀少？能在G.Skill编号41A的内存条中见到。


长鑫CXMT（奇梦达，Polaris，英飞凌）单面8GB

8GB CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 16 20 20 38 XMP 1.35V
3600 22 22 22 42 超频 2T

来源：芯智讯。一些光威，金百达Kingbank，Telcast，Tigo的3000 16-18-18-38 1.35V内存条中可见。超频结果类似海力士CJR，在Thaiphoon Burner中错误显示为三星A-die

8GB CQ CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 22 22 22 XMP？
3200 16 17 17 28 超频 1T 1.35V

来源：ZoveyChen。超频潜力差，Thaiphoon Burner误报为三星A-die

8GB CQA CL tRCD R/W tRP tRAS 状态
3200 22 22 22 XMP？
3200 14 16 16 38 超频 1T 1.35V
3600 16 18 18 42 超频 1T 1.35V
3800 18 29 29 42 超频 1T 1.35V

来源：ZoveyChen。在七彩虹的内存条上可见，超频潜力不错但再加几颗电容的话性价比会起飞。Thaiphoon Burner误报为三星A-die


SpecTek

无资料

DIMM厂商-下游

来源：海盗船论坛EN

英瑞达 Crucial

镁光收购英瑞达前，英瑞达和G.Skill，海盗船一样是下游内存厂，被收购后它们售出的内存里绝大多数都是镁光芯片，有个例。一般情况下默认100%镁光


科赋 Klevv

海力士学镁光自建的品牌，在国内市场能见到。国外货源稀少？一般情况下默认100%海力士


海盗船 Corsair

可能性 版本 上游 IC容量 修订号
猜测 v3.20 镁光 4GB/面 Rev.A
确定 v3.21 镁光 4GB/面 Rev.B
猜测 v3.22 镁光 4GB/面 Rev.E*
确定 v3.22 镁光 4GB/面 Rev.F*
确定 v3.31 镁光 8GB/面 Rev.B
猜测 v3.33 镁光 8GB/面 Rev.D
推测 v3.34 镁光 8GB/面 Rev.E
确定 v4.14 三星 4GB/面 D-die (4x16)
确定 v4.23 三星 4GB/面 D-die
确定 v4.24 三星 4GB/面 E-die
确定 v4.31 三星 8GB/面 B-die
推测 v4.49 三星 16GB/面 M-die
推测 v4.40 三星 16GB/面 A-die
确定 v5.29 海力士 4GB/面 MFR
确定 v5.20 海力士 4GB/面 AFR
推测 v5.21 海力士 4GB/面 BJR
确定 v5.39 海力士 8GB/面 MFR
猜测 v5.30 海力士 8GB/面 AFR
推测 v5.31 海力士 8GB/面 BFR?
猜测 v5.32 海力士 8GB/面 CJR
推测 v8.20** 南亚 4GB/面 Rev.A
推测 v8.30** 南亚 8GB/面 Rev.A

芝奇 G.Skill

三星
F4-4000C19D-16GTZSW- F4-4000C18Q-32GTZ--- F4-4000C18D-16GTZ- F4-4000C18D-16GTZR--
F4-4000C18Q2-64GTZR- F4-3866C18Q-32GTZR-- F4-3800C14Q-32GTZN F4-3733C17Q-64GTZR--
F4-3600C18Q-32GVK--- F4-3600C18Q-64GVK--- F4-3600C18Q-128GVK F4-3400C16Q2-64GTZ--
F4-3466C16Q2-64GTZ-- F4-3400C16Q-64GVK--- F4-3466C16Q-64GTZ- F4-3300C16Q2-64GTZSW
F4-3300C16Q2-128GTZ- F4-3200C14Q2-64GVK-- F4-3200C15Q2-64GVR F4-3200C16Q-64GVK---
F4-3200C14Q-64GVK--- F4-3200C14Q2-128GTZ F4-3600C17D-16GTZR

海力士：F4-3600C16Q-64GVKC


ADATA / XPG / 威刚

海力士
AX4U3200316G16-DB30 AX4U3200316G16-DR30 AX4U3200316G16-DSZ1 AX4U3200316G16-DB10
AX4U3200316G16-DR10 AX4U3200316G16-BSZ1 AX4U3200316G16-BB10 AX4U3200316G16-BR10
AX4U320038G16-BR80 AX4U320038G16-SR80 AX4U320038G16-DR80 AX4U320038G16-QR80
AX4U320038G16-SB30 AX4U320038G16-SR30 AX4U320038G16-DB30 AX4U320038G16-DR30
AX4U320038G16-DSZ1 AX4U320038G16-DB10 AX4U320038G16-DR10 AX4U320038G16-BSZ1
AX4U320038G16-BB10 AX4U320038G16-BR10 AD4U2666316G19-B AX4U266638G16-BR30
镁光
AX4U3000316G16A-ST60 AX4U3000316G16A-SB80 AX4U3000316G16A-DT60 AX4U3000316G16A-DR80
AX4U3000316G16A-DB80 AX4U3000316G16A-DR41 AX4U3000316G16A-DT41 AX4U3000316G16A-BR80
AX4U3000316G16A-BR41 AX4U3000316G16A-BT41 AX4U320038G16A-ST60 AX4U320038G16A-SB80
AX4U320038G16A-SR80 AX4U320038G16A-DT60 AX4U320038G16A-DW60 AX4U320038G16A-DB80
AX4U320038G16A-DR80 AX4U320038G16A-DB41 AX4U320038G16A-DR41 AX4U320038G16A-DT41
AX4U320038G16A-BW41 AX4U320038G16-BR10 AD4U2666316G19-B AX4U266638G16-BR30
镁光Rev.J
AD4U320038G22-SGN AD4U320038G22-RGN AD4U320038G22-DTGN AD4U320038G22-BGN
镁光Rev.E
AD4U320088G22-SGN AD4U320088G22-RGN AD4U320088G22-DTGN AD4U320088G22-BGN
AD4U3200716G22-SGN AD4U3200716G22-RGN AD4U3200716G22-DTGN AD4U3200716G22-BGN
三星
AX4U300038G16A-SB30 AX4U300038G16A-SR30 AX4U300038G16A-DB10 AX4U300038G16A-DR10
AX4U300038G16A-DSZ1 AX4U300038G16A-DB30 AX4U300038G16A-DR30 AX4U300038G16A-BB10
AX4U300038G16A-BR10 AX4U300038G16A-BSZ1
三星 B
AX4U360038G14C-DT60 AX4U400038G19-BR40 AX4U413338G19-BR80 AX4U413338G19-DR80
AX4U413338G19-DT60 AX4U413338G19-SR80 AX4U460038G19-BT41 AX4U460038G19-DRZ
来源：B-Die finder
SpecTek
AX4U300038G16-BRZ1 AX4U300038G16-SRZ1 AX4U300038G16-DRZ1 AX4U300038G16-QRZ1
AX4U266638G16-SB30 AX4U266638G16-SR30 AX4U266638G16-DB30 AX4U266638G16-DR30
AX4U266638G16-DSZ1 AX4U266638G16-DB10 AX4U266638G16-DR10 AX4U266638G16-BSZ1
AX4U266638G16-BB10 AX4U266638G16-BR10 AX4U2666316G16-BRZ1 AX4U2666316G16-SRZ1
AX4U2666316G16-DRZ1 AX4U2666316G16-QRZ1 AD4U2666732G19-B AD4U2666732G19-RGN
AD4U2666732G19-SGN AD4U2666732G19-B

金士顿 / Kingston (HyperX {Savage|Fury})

南亚C
HX432C16FB3K4/32 HX432C16FB3K2/16 HX432C16FB3/8
海力士
HX432C16PB3AK4/64 HX432C16PB3AK2/32 HX432C16PB3/8---- HX432C16FB3K4/1--
HX432C16FB3K2/8-- HX432C16FB3/4---- HX432C16FB3AK4/32 HX432C16FB3AK2/16
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HX430C15FB3/8---- HX430C15FB3AK4/32 HX430C15FB3AK2/16 HX430C15FB3A/8---
HX430C15PB3AK4/64 HX430C15PB3AK2/32 HX430C15PB3A/16-- HX430C15FB3AK4/64
HX430C15FB3AK2/32 HX430C15FB3A/16-- HX430C15FB3K4/64- HX430C15FB3K2/32-
HX430C15FB3/16--- HX426C16FB3AK4/32 HX426C16FB3AK2/16 HX426C16FB3A/8
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HX426C16FB3AK2/32 HX426C16FB3A/16 HX426C16FB3K4/64 HX426C16FB3K2/32
HX426C16FB3/16
金士顿 C
HX432C16PB3/16-- HX432C16PB3K2/32 HX432C16PB3K4/64
三星 D
HX432C16FB3K4/32 HX432C16FB3K2/16 HX432C16FB3/8
三星 M
HX432C16FB4/16-- HX432C16FB4K2/32 HX432C16FB4K4/64 HX430C16FB4/16
HX430C16FB4K2/32 HX430C16FB4K4/64 X426C16FB3/32 HX426C16FB3K2/64
HX426C16FB3K4/128
镁光
HX432C16FB3AK4/64 HX432C16FB3AK2/32 HX432C16FB3A/16- HX432C16FB3K4/64-
HX432C16FB3K2/32- HX432C16FB3/16-- KVR32N22S6/4---- KVR32N22S6/4-----
KVR32N22S8/8----- KVR32N22S8/8---- KVR32N22D8/16--- KVR32N22D8/16----
KVR32N22D8/32---- HX432C16FB3/32-- HX432C16FB3K2/64 HX432C16FB3K4/128
HX430C16FB3/32--- HX430C16FB3K2/64 HX430C16FB3K4/128 HX426C16FB3K4/16-
HX426C16FB3K2/8-- HX426C16FB3/4--- KVR29N21D8/16---- KVR29N21S8/8-----
KVR26N19D8/32----
镁光 Rev.E
HX426C16FB4AK4/64 KVR26N19S8L/16-SP KVR26N19S8/16 HX430C16FB4AK4/64
HX430C16PB3A/32 HX430C16PB3AK2/64 HX430C16PB3AK4/128 KVR32N22S6/8
KVR32N22S8/16 HX432C16FB4AK4/64 HX432C16PB3/32 HX432C16PB3K2/64
HX432C16PB3K4/128 HX432C16PB3K8/256 KVR29N21S6/8 KVR29N21S8/16
KVR29N21D8/32
南亚
HX426C16FB3/16 KVR26N19S8L/4-SP KVR26N19D8L/8-SP KVR26N19D8L/16-SP
KVR26N19D8/16-SP
南亚 C
KVR26N19S6/4 KVR26N19S8/8 KVR26N19D8/8-SP KVR26N19D8/16

PSC： KVR26N19D8L/8-SP


Teamgroup

镁光
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TED48G2400C1601-------- TPD48G2400HC1601------- TPRD48G2400HC1601------
三星
M378A4G43MB1-CRC------ TDPGD48G3200HC14BBK--- TF10D48G3200HC14BBK---
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TF10D464G3200HC14BQC01 D12.2724FS.00
三星 B
TDPGD416G3200HC14ADC01 TDPGD416G3600HC16ADC01 TDPGD416G3866HC18GDC01
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来源：B-Die finder
三星 C
AU08GGB26CQYBGH AU16GGB26CQYBGH
三星 D
TTZD48G2666HC1901 TTZD416G2666HC19DC01
SpecTek
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TPD464G2666HC19DC01--- TPRD464G2666HC19DC01-- TTCCD464G2666HC19DC01-
TLZGD432G2666HC18H01-- TLZRD432G2666HC18H01-- TLZGD464G2666HC18HDC01
TLZRD464G2666HC18HDC01 TLZGD4128G2666HC18HQC01 TLZRD4128G2666HC18HQC01
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TLZRD432G2666HC18H01-- TF3D432G2666HC18H01--- TF4D432G2666HC18H01---
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海力士
TED416G2400C16QC01-------- TPD416G2400HC16QC01---- TPRD416G2400HC16QC01---
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TED432G2400C16DC01----- TED416G2400C1601------- EL.08G2V.GNH---
AH4U08G32C08YNBAA
海力士 CJR
TLZGD48G3200HC16C01--- TLZRD48G3200HC16C01--- TDZGD48G3200HC16C01---
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TLZGD416G3200HC16CDC01 TLZRD416G3200HC16CDC01 TDZGD416G3200HC16CDC01
TDZRD416G3200HC16CDC01 TDZAD416G3200HC16CDC01 TF3D416G3200HC16CDC01-
TF4D416G3200HC16CDC01- TF10D416G3200HC16CDC01 TF13D416G3200HC16CDC01
TF1D416G3200HC16CDC01- TTCED416G3200HC16CDC01 TLZGD432G3200HC16CQC01
TLZRD432G3200HC16CQC01 TF3D432G3200HC16CQC01- TF4D432G3200HC16CQC01-
TF10D432G3200HC16CQC01 TF13D432G3200HC16CQC01 TF2D416G3200HC16CDC01-
TTCED432G3200HC16CQC01 TLZGD464G3200HC16COC01 TLZRD464G3200HC16COC01
TF10D464G3200HC16COC01
海力士 JJR
TLZGD416G2666HC18H01-- TLZRD416G2666HC18H01-- TF3D416G2666HC18H01---
TF4D416G2666HC18H01--- TLTYD416G2666HC18H01-- TLZGD432G2666HC18HDC01
TLZRD432G2666HC18HDC01 TF3D432G2666HC18HDC01- TF4D432G2666HC18HDC01-
TLTYD432G2666HC18HDC01 TTZD416G2666HC1901---- TTZD432G2666HC19DC01--
TLZGD48G2666HC18H01--- TLZRD48G2666HC18H01--- TF3D48G2666HC18H01----
TF4D48G2666HC18H01---- TLTYD48G2666HC18H01--- TLZGD416G2666HC18HDC01
TLZRD416G2666HC18HDC01 TF3D416G2666HC18HDC01- TF4D416G2666HC18HDC01-
TLTYD416G2666HC18HDC01
海力士 DJR
AU08GGB32CSYBGH AU16GGB 32CSYBGH
海力士 AJR
AU16GGB26CRBBGH AU32GGB26CRBBGH
SpecTek B
AU04GGB26CQWBGH AU04GGB26CQTBGH

长鑫： AU08GGB26CQYBGH


GEiL (EVO {X|Forza|Potenza}, Super Luce RGB Sync, White Dragon)

三星 B
GEX416GB4000C19DC GEX416GB4000C19SC GEX416GB4133C19DC GEX416GB4133C19SC
GEX432GB4000C19DC GEX432GB4133C19DC GEX48GB4000C19SC GEX48GB4133C19SC
GEXB416GB4000C19DC GEXB416GB4000C19SC GEXB416GB4133C19DC GEXB416GB4133C19SC
GEXB432GB4000C19DC GEXB432GB4133C19DC GEXB48GB4000C19SC GEXB48GB4133C19SC
GEXG16GB4133C19SC GEXG416GB4000C19DC GEXG416GB4000C19SC GEXG416GB4133C19DC
GEXG416GB4133C19SC GEXG48GB4000C19SC GEXG48GB4133C19SC GEXW32GB4133C19DC
GEXW416GB4000C19DC GEXW416GB4133C19DC GEXW432GB4000C19DC GEXW432GB4133C19DC
GEXW48GB4000C19SC GEXW48GB4133C19SC GFR416GB3600C17DC GFR416GB3866C18DC
GFR432GB3600C17DC GFR432GB3600C17QC GFR432GB3866C18DC GFR432GB3866C18QC
GFR464GB3600C17QC GFR464GB3866C18QC GLS416GB3200C14DC GLS416GB3600C16ADC
GLS416GB4133C19DC GPR48GB4000C19SC GWW416GB4000C19DC
来源：B-Die finder

GALAX (Hall of fame{II|OC Lab|Exteme})

三星 B
HOF4CRL1CST3600M17LD162C HOF4CRL1CST4000M19SF162C HOF4CRL4BST3600U17LD162CL
HOF4CRL4BST4000M19SF162CL HOF4CXL1BS4000M19SF162C HOF4CXL1BST4000M19SF162C
HOF4CXL4BST5000V19VC162CL HOF4CXLBS3200H14HD162C HOF4CXLBS3600K17LD162C
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HOF4KXL1CST4266O19MF162C HOF4RJL3BST4000M19SF162CL HOF4RJL4BST4400T19MF162CL
来源：B-Die finder

博帝 / Patriot (Viper 4 {Elite}, Viper {LED,RGB,Steel})

三星 B
PV416G360C6K PVB416G400C9K PVE416G360C6KGY PVLW416G360C6K
PVR416G360C6K PVR416G413C9K PVR416G413C9KW PVS416G360C4K
PVS416G400C6K PVS416G400C9K PVS416G413C9K PVS416G440C9K
来源：B-Die finder

Super Talent (Project X)

三星 B
F3600UA8G F3600UB16G F3600UX16G
F3733UA8G F3733UX16G
来源：B-Die finder

HP / 惠普

三星 B
48U41AA 48U45AA 54N61AA
来源：B-Die finder

Neo Forza

海力士
NMUD480E82-3200DB21/DF20/DE20 NMUD480E82-2666EA10 NMUD416E82-2666EA10

曜越 / Thermaltake

海力士
R009D408GX2-3200C16A R009D416GX2-3200C16A R022D416GX2-3200C16A
R009R432GX2-3200C16A R022R432GX2-3200C16A R009D408GX2-3000C16A
R009D408GX2-3000C16B

Avexir (Blitz)

三星B： AVD4UZ136001708G-2BZ1--，AVD4UZ136001708G-4BZ1-- ('--'代表RR, SW, GY等颜色代号) 来源：B-Die finder


映众 / Inno3D (iChill RGB)

三星 B
RCX2-16G3600A RCX2-16G3600R RCX2-16G4000A RCX2-16G4000R
来源：B-Die finder

Apacer

三星B： EK.16GA4.GFAK2，EK.16GA5.GGBK2 来源：B-Die finder


七彩虹Colorful

长鑫CQ： WH08G3200D4NP22 长鑫CQA： WHPC08G3200D4N8


Kimitigo

长鑫
KT8GU4NE8 KTFGU4NEF

DDR4 2666MT/S 上下游厂商对应表

DIMM厂商 DIMM型号 大小 布局 DRAM厂商 DRAM型号 DRAM容量 DRAM通道 DRAM日期码 Revision
Crucial CT32G4DFD832A.16FB1 32GB B2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1916 B
Crucial CT32G4DFD832A.16FE1 32GB B2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1936 E
Crucial CT32G4DFD826616FE1. 32GB B2 Micron MT40A2G8VA-062E:B 16Gb x8 1940 E
Crucial CT16G4DFD8266.16FB1 16GB B1 Micron MT40A1G8WE-075E:B 8Gb x8 1646 B
Crucial CT16G4DFD8266.16FD1 16GB B1 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1644 D
Crucial CT16G4DFD8266.16FE1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:E 8Gb x8 1744 E
Crucial CT16G4DFD8266.16FH1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-075:H 8Gb x8 1710 H
Crucial CT16G4DFD8266.16FJ1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1828 J
Crucial CT16G4DFS832A.8FE1 16GB A2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1934 E
Crucial CT16G4DFS8266.8FE1 16GB A2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1940 E
Crucial CT8G4DFS8266.8FB1 8GB A1 Micron MT40A1G8WE-075E:B 8Gb x8 1646 B
Crucial CT8G4DFD8266.16FB1 8GB B1 Micron MT40A512M8RH-075E:B 4Gb x8 1648 B
Crucial CT8G4DFS8266.8FD1 8GB A2 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1644 D
Crucial CT8G4DFS8266.8FE1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:E 8Gb x8 1744 E
Crucial CT8G4DFS8266.8FH1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-075:H 8Gb x8 1710 H
Crucial CT8G4DFS8266.8FJ1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1828 J
Crucial CT8G4DFS6266.4FE1 8GB C0 Micron MT40A1G16KD-062E:E 16Gb x16 1940 E
Crucial CT8G4DFS632A.4FE1 8GB C0 Micron MT40A1G16KD-062E:E 16Gb x16 1940 E
Crucial CT4G4DFS8266.8FB1 4GB A1 Micron MT40A512M8RH-075E:B 4Gb x8 1648 B
Crucial CT4G4DFS6266.4FB1 4GB C0 Micron MT40A512M16JY-075E:B 8Gb x16 1620 B
Crucial CT4G4DFS6266.4FE1 4GB C0 Micron MT40A512M16LY-075:E 8Gb x16 1744 E
Crucial CT4G4DFS6266.4FH1 4GB C0 Micron MT40A512M16LY-075:H 8Gb x16 1710 H
Crucial CT4G4DFS6266.4FJ1 4GB C0 Micron MT40A512M16TB-062E:J 8Gb x16 1828 J
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 SK hynix H5AN8G8NCJR-VKC 8Gb x8 1725 C
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 SK hynix H5AN8G8NAFR-VKC 8Gb x8 1643 A
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-075:E 8Gb x8 1744 E
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-075:H 8Gb x8 1710 H
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1834 J
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1814 D
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 SK hynix H5AN8G8NJJR-VKC 8Gb x8 1825 J
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1834 J
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B2 Micron MT40A1G8SA-075:E 8Gb x8 1908 E
Kingston KVR26N19D8/16 16GB B2 SK hynix H5AN8G8NJJR-VKC 8Gb x8 1926 J
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NAFR-VKC 8Gb x8 1643 A
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NCJR-VKC 8Gb x8 1725 C
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-075:E 8Gb x8 1744 E
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-075:H 8Gb x8 1710 H
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1834 J
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1814 D
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NJJR-VKC 8Gb x8 1825 J
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1834 J
Kingston KVR26N19S8/8 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NDJR-VKC 8Gb x8 1927 D
Kingston KVR26N19D8/16 8GB B1 SK hynix H5AN8G8NDJR-VKC 8Gb x8 1927 D
Kingston KVR26N19S6/4 4GB C0 Micron MT40A512M16LY-075:E 8Gb x16 1744 E
Kingston KVR26S19S6/4 4GB C0 Micron MT40A512M16TB-062E:J 8Gb x16 1838 J
Kingston KVR26N19S6/4 4GB C0 SK hynix H5AN8G6NCJR-VKC 8Gb x16 1747 C
Kingston KVR26S19S6/4 4GB C0 Micron MT40A512M16TB-062E:J 8Gb x16 1838 J
Kingston KVR26N19S6/4 4GB C0 SK hynix H5AN8G6NJJR-VKC 8Gb x16 1829 J
Kingston KVR26N19S6/4 4GB C0 SK hynix H5AN8G6NDJR-VKC 8Gb x16 1930 D
Micron MTA16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB B3 Micron MT40A2G8VA-062E:B 16Gb x8 1916 B
Micron MTA16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB B2 Micron MT40A2G8VA-062E:B 16Gb x8 1916 B
Micron MTA16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB B2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1936 E
Micron MTA16ATF4G64AZ-2G6E1 32GB B2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1940 E
Micron MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB B1 Micron MT40A1G8WE-075E:B 8Gb x8 1646 B
Micron MTA16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB B1 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1644 D
Micron MTA16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:E 8Gb x8 1744 E
Micron MTA16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-075:H 8Gb x8 1710 H
Micron MTA16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1828 J
Micron MTA16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB B1 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1820 J
Micron MTA8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB A2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1934 E
Micron MTA8ATF2G64AZ-2G6E1 16GB A2 Micron MT40A2G8JC-062E:E 16Gb x8 1940 E
Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB A1 Micron MT40A1G8WE-075E:B 8Gb x8 1646 B
Micron MTA16ATF1G64AZ-2G6B1 8GB B1 Micron MT40A512M8RH-075E:B 4Gb x8 1648 B
Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB A2 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1644 D
Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:E 8Gb x8 1744 E
Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-075:H 8Gb x8 1710 H
Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1828 J
Micron MTA8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB A2 Micron MT40A1G8SA-062E:J 8Gb x8 1820 J
Micron MTA4ATF1G64AZ-2G6E1 8GB C0 Micron MT40A1G16KD-062E:E 16Gb x16 1940 E
Micron MTA4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB C0 Micron MT40A1G16KD-062E:E 16Gb x16 1940 E
Micron MTA8ATF51264AZ-2G6B1 4GB A1 Micron MT40A512M8RH-075E:B 4Gb x8 1648 B
Micron MTA4ATF51264AZ-2G6B1 4GB C0 Micron MT40A512M16JY-075E:B 8Gb x16 1620 B
Micron MTA4ATF51264AZ-2G6E1 4GB C0 Micron MT40A512M16LY-075:E 8Gb x16 1744 E
Micron MTA4ATF51264AZ-2G6H1 4GB C0 Micron MT40A512M16LY-075:H 8Gb x16 1710 H
Micron MTA4ATF51264AZ-2G6J1 4GB C0 Micron MT40A512M16TB-062E:J 8Gb x16 1828 J
Micron MTA4ATF51264AZ-3G2J1 4GB C0 Micron MT40A512M16TB-062E:J 8Gb x16 1844 J
Nanya NT8GA64D88BX3F-HR 8GB A2 Nanya NT5AD1024M8B3-HR 8Gb x8 1928 B
RAMAXEL RMUA5110KC78HAF-2666 8GB A2 Samsung K4A8G085WC-BCTD 8Gb x8 1834 C
RAMAXEL RMUA5110MD78HAF-2666 8GB A2 Micron MT40A1G8WE-075E:D 8Gb x8 1810 D
RAMAXEL RMUA5120KC86H9F-2666 4GB C0 Samsung K4A8G165WC-BCTD 8Gb x16 1907 C
RAMAXEL RMUA5120ME86H9F-2666 4GB C0 Micron MT40A512M16LY-075:E 8Gb x16 1744 E
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB B1 Samsung K4A8G085WC-BCTD 8Gb x8 1737 C
Samsung M378A2K43BB1-CTD 16GB B1 Samsung K4A8G085WB-BCTD 8Gb x8 1740 B
Samsung M378A1K43CB2-CTD00 8GB A2 Samsung K4A8G085WC-BCTD 8Gb x8 1737 C
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB A2 Samsung K4A8G085WB-BCTD 8Gb x8 1740 B
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB C0 Samsung K4A8G165WC-BCTD 8Gb x16 1737 C
Samsung M378A5244BB0-CTD 4GB C0 Samsung K4A8G165WB-BCTD 8Gb x16 1740 B
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VKN0 32GB B2 SK hynix H5ANAG8NAJR-VKC 16Gb X8 1909 A
SK hynix HMA82GU6CJR8N-VKN0 16GB B1 SK hynix H5AN8G8NCJR-VKC 8Gb x8 1725 C
SK hynix HMA82GU6JJR8N-VKN0 16GB B1 SK hynix H5AN8G8NJJR-VKC 8Gb x8 1817 J
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-VKN0 16GB A3 SK hynix H5ANAG8NAJR-VKC 16Gb X8 1909 A
SK hynix HMA82GU6DJR8N-VKN0 16GB B2 SK hynix H5AN8G8NDJR-VKC 8Gb X8 1846 D
SK hynix HMA81GU6CJR8N-VKN0 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NCJR-VKC 8Gb x8 1725 C
SK hynix HMA81GU6JJR8N-VKN0 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NJJR-VKC 8Gb x8 1817 J
SK hynix HMA81GU6DJR8N-VKN0 8GB A2 SK hynix H5AN8G8NDJR-VKC 8Gb X8 1846 D
SK hynix HMA851U6CJR6N-VKN0 4GB C0 SK hynix H5AN8G6NCJR-VKC 8Gb x16 1729 C
SK hynix HMA851U6DJR6N-VKN0 4GB C0 SK hynix H5AN8G6NDJR-VKC 8Gb X16 1844 D

内存-芯片验货

  • 下图是从二手市场捡的海盗船统治者3000MT/S CL15-17-17-35，2x16GB v5.39的内存（划痕挺多），初步可以推测这是海力士8GB单面的MFR颗粒

Cr_Dominator1.jpeg

  • 侧过来看（光线较暗不好拍，但实际上很容易看见），内存为A2布局（芯片靠近左右两端），正反两面放置共16颗芯片，因此符合8GB每面的芯片资料，最后只需要用Thaiphoon Burner检测一下就可以确定上游厂商确实是海力士

Cr_Dominator2.jpeg

  • 最后根据百度内存颗粒的体质，以及16GB单条，主板内存槽布局，子时序/主板时序，电压预期等等debuff，降低超频预期后，就可以开始尝试自行超频了
  • 当然，本教程因篇幅而不包含超频相关信息，但这短短七千来字基本上涵盖了超频所需的所有前提条件，因此已经帮你排除一大堆科学/玄学问题，提供超频的资格了
  • 由于主板太差，所以在R7 5800X上降低到2666MT/S CL15才勉强开机，性能还不如原来2x8GB 镁光Rev.D的3200MT/S CL15超频。因此才说选错主板的内存性能代价才非常大

内存-超频基础

来源：r/Overclocking；维基百科-中文；Gamers Nexus


主时序

tCL - CAS (Column Access Strobe) Latency / 列光标启动延时/列光标潜伏周期数     类似鼠标点击文本文档里，光标出现在对应行数上的等待时间。比如3200MT/S CL16的内存，就要占用其中16÷3200×1000×2=10ns的时长。根据以上信息猜测英特尔平台上的CPU占据了主要延时，所以内存超频收益不大

tCL ÷ 频率MT/S × 1000（转纳秒） × 2（异步转同步） = CAS延迟（纳秒）

  • 算式中转SDR的步骤源自DDR标准在一个频率下拥有两倍带宽(?)，所以要在延迟上算入

tRCD - RAS (Row Access Strobe) to CAS Latency / 行至列启动延时 / 行地址到列地址延时     由于从行开始寻址到列的路径更长，所以比tCL要慢一点

tRCD ÷ 频率MT/S × 1000（转纳秒） × 2（异步DDR转同步SDR） = tRCD延迟（纳秒）


tRCDWR - RAS to CAS Write / Read Latency / 行至列写-读分别延时     AM4平台（中高端?）主板有支持分别设定读/写延时的特点，超频时把读设低于写有性能提升。英特尔LGA1151平台上部分主板直接把tRCDW，tRCDR，tRP作为一个参数写作tRCDtRP。特例有镁光D9TBH芯片能在tRCDW 18~19的情况下支持tRCDR 8


tRP - Row Precharge Time / 行充电准备延时 / 行预充电延时     ，另起一列写入内容。一般情况下和tRCDW用时一样 tRP ÷ 频率MT/S × 2000 = 延迟（纳秒）


tRAS - Row Active Time / RAS延时 / 行光标工时 / 行活动时间     包含tRCD，tWR所以必须大于等于其和

CAS延迟 + tRCD延迟 + tRP延迟 + tRAS延迟 = 主时序延迟（估计）


CPU-核外电路UnCore / SoC Voltage

来源：r/Overclocking#wiki；r/Overclocking#ram


内存控制器-命令频率 Command Rate

    内存控制器锚定内存上阶数Rank的延时，如果超不动频或主板稳定/兼容性不好可以从默认最快的1T切到2T，让操作减半。GDM和CR所涵盖的命令类型不同，但原理一样


内存控制器-降速模式 Geardown Mode/GDM

    内存控制器读写命令频率减半的功能，DDR4早期主板默认开启，稳定/兼容性不好可以打开让操作减半。比如3200MT/S的内存原来给3200M次（3.2亿次）读写，开启后降低到1600M次。GDM和CR所涵盖的命令类型不同，但原理一样


锐龙1000 SoC

    一开始支持最高DDR4-2666，2933的速度，但BIOS升级后，理想主板上插两槽的频率放宽到了3200，但特定情况下海力士的4GB单条连XMP都跑不了，所以建议1x8GB，2x8GB起步

    SoC电压支持最高1.2V，建议1.05V起步；超过1.2V后会加速老化，有的主板BIOS设定偏移值而非实际电压，所以要先用HWiNFO之类的软件测算，可以用Ryzen Master于系统内做预演


LGA1151 CPU SoC

VCCIO： 电压决定内存的高频稳定性，支持最高1.3V，但超过1.25V后就没什么收益了 VCCSA： 电压决定内存的高频低时序的稳定性，和VCCIO设置方法一样


锐龙3000 - 酷睿12系 / Core 12 SoC

    3600MT/S以下基本不用动电压，注意酷睿12xxxK比内存超频性能12xxx要好一些的差距


h610或 - Core 12100 / 12400

    少数人运气好内存可以上3600MT/S，正常情况下3200MT/S


LGA2011 CPU SoC

LGA1700 CPU SoC

LGA2100 CPU SoC

实在写不动了也没查到多少有用信息，所以略=_=

其他参考资料

x399主板天梯(安卓/IOS不要打开) 电源天梯(安卓/IOS不要打开) 显卡天梯-厂商下游(安卓/IOS不要打开) LGA1151 v2 主板天梯(安卓/IOS不要打开)

PS： 最近在不停地写科普原来是因为显卡实在带不动游戏也买不起新卡所以没事闲的。那么就这样样...

更新2： 增加了长鑫CMXT CQA和CQ芯片的数据 更新3： 将Mhz替换为Mbps，扩充了厂商表格的内容 更新4： 扩充了厂商表格的内容，修复了一些用语错误 更新5： 忘了 更新6： 根据下篇教程的发布重新整理了所有内容，将Mbps替换为MT/S，重写了Rank科普，增加了Rank科普配图，重新整理了主板相关内容（档次，值钱功能，绝版功能，BIOS相关内容，内存走线拓补） 更新7： 增加了一大批不同厂商主板的内存拓补信息，更新了AM4主板天梯的镜像，增加了ITX/DTX主板相关信息

打赏信息

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这玩意年收入6人民币

那么就这
样